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FQB19N10LTM

Fairchild图标
单端场效应管
制造厂商:yabo足彩半导体公司(Fairchild)-目前已被安森美收购
功能简述:MOSFET N-CH 100V 19A D2PAK
原厂封装:D2PAK
优势价格,FQB19N10LTM的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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FQB19N10LTM的功能参数资料 - yabo足彩半导体公司(Fairchild)提供
  • 原厂标准完整型号:FQB19N10LTM
  • 制造厂家名称:Fairchild Semiconductor
  • 描述:MOSFET N-CH 100V 19A D2PAK
  • 系列:QFET
  • FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 功能:标准
  • 漏源极电压 (Vdss):100V
  • 电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):19A(Tc)
  • 不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):100 毫欧 @ 9.5A,10V
  • 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):18nC @ 5V
  • 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):870pF @ 25V
  • 功率 - 最大值:3.75W
  • 安装类型:表面贴装
  • 封装样式:TO-263-3,D2Pak(2 引线+接片),TO-263AB
  • 原厂封装:D2PAK
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